Caractéristiques d'un transistor bipolaire
- il y a 13 ans
Tracé automatique sur l'oscilloscope des caractéristiques Vce -> Ic à Ib variable d'un transistor NPN. Détermination de Vce de saturation (au delà de laquelle Ic de dépend plus que de Ib) et du facteur d'amplification en courant beta.
Vce = Vc - Ve tension entre collecteur et émetteur.
Pour Vce assez grand, Ic ne dépend que de Ib et est proportionnel à Ib : le facteur de proportionnalité est le gain en courant beta.
La courbe Vce -> Ic est obtenue en faisant varier Vce assez lentement, avec un générateur BF ou la fonction de tracé de caractéristique de mon oscilloscope Hameg.
Sur la partie droite de la courbe, le transistor fonctionne comme une diode Zener : on voit bien le seuil d'avalanche, indépendant de Ib.
Vce = Vc - Ve tension entre collecteur et émetteur.
Pour Vce assez grand, Ic ne dépend que de Ib et est proportionnel à Ib : le facteur de proportionnalité est le gain en courant beta.
La courbe Vce -> Ic est obtenue en faisant varier Vce assez lentement, avec un générateur BF ou la fonction de tracé de caractéristique de mon oscilloscope Hameg.
Sur la partie droite de la courbe, le transistor fonctionne comme une diode Zener : on voit bien le seuil d'avalanche, indépendant de Ib.